Внутренний SSD-накопитель 1000Gb Samsung 990 Evo (MZ-V9E1T0BW) M.2 2280 PCI-E 4.0 x4 (5.0 x2)

Артикул 391720
13 420 ₽
Для организаций по безналичному расчету: 13 917 ₽ включая НДС 20%

Гарантия авторизованного сервис-центра 12 месяцев.

Наличие товара

Магазин на заказ (1-2 рабочих дня)
Склад на заказ (1-2 рабочих дня)

Доставка по Москве и области от 290 ₽

Характеристики

Артикул 391720
Объём (ГБ) 1000
Радиатор Нет
Форм-фактор M.2 2280
Интерфейс подключения PCIe NVMe Gen 4.0 x4 / PCIe NVMe Gen 5.0 x2
Подсветка Нет
M.2 (ключ) M
Скорость чтения до (Мб/сек) 5 000
Скорость записи до (Мб/сек) 4 200
Ресурс TBW (ТБ) 600

Основное

Форм-фактор M.2 2280
Интерфейс подключения PCIe NVMe Gen 4.0 x4 / PCIe NVMe Gen 5.0 x2
Скорость чтения до (Мб/сек) 5000
Скорость записи до (Мб/сек) 4200
Время работы на отказ (часов) 1500000
Объём (ГБ) 1000

Главное

Тип флэш-памяти V-NAND TLC
Скорость случайного чтения (блоки по 4Кб) 20000 IOPS
Скорость случайного чтения (блоки по 4Кб QD32) 680000
Скорость случайной записи (блоки по 4Кб) 90000 IOPS
Скорость случайной записи (блоки по 4Кб QD32) 800000
Ресурс TBW (ТБ) 600
Поддержка NVMe Да
Потребление (рабочий режим) 4.9 W

Конструкция

Подсветка Нет
Радиатор Нет

Внутренние контроллеры дисков

M.2 (ключ) M

Габариты и вес

Цвет Черный
Размеры (мм) 80 х 22 х 2.38
Вес (г) 9

Артикул 391720
Гарантийный срок (мес) 12
На заказ Да
Модель MZ-V9E1T0BW
Производитель Samsung
Код вендора MZ-V9E1T0BW
Подробнее

Изготовитель: Samsung Electronics Co., Ltd. Республика Корея, (Maetan-dong) 129, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, 16677

Срок службы (месяцев): 24